PW2301A采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW2301A是一颗P沟道的MOS管

PW2301A芯片，低导通内阻：RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=4.5V

PW2301A的VDS = -20V, ID = -3A

PW2301A采用SPT23-3L的环保材质封装。

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