PW2305 采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的 MOS 管装置。 PW2305 是一颗 P 沟道的低内阻场效应 MOS 管。

PW2305 具有比 PW2302A 更高的 ID 电流值，内阻比 PW2302A 偏低。

PW2305 基本参数： VDS = -20V ， ID =-4.9A ， RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V

PW2305 采用 SOT23-3L 环保材质封装形式。

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深圳市夸克微科技

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