PW3400A 采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的 MOS 管装置。 PW3400A 是一颗 N 沟道的低内阻场效应 MOS 管。

PW3400A 具有比 PW2302A 更高的 ID 电流值，和更高的 VDS 耐压

PW3400A 基本参数：VDS = 30V， ID =5.8A ， RDS(ON)< 28mΩ @ VGS=10V

PW3400A 采用 SOT23-3L 环保材质的封装形式。

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深圳市夸克微科技

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