N沟道增强型MOSFET,PW2308

2020-12-01 13:23:00
夸克微
原创
2115


一般说明
PW2308采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征
VDS=60V ID=5A
RDS (开) <38m Ω @VGS=10V
提供 3 SOT23-3 封装
应用
  电池保护
  负荷开关


  自动照明
代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804


绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)

电气特性(TA=25°C,除非另有说明。)



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