N沟道增强型MOSFET,PW2308
- 2020-12-01 13:23:00
- 夸克微 原创
- 2078
一般说明
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征
VDS=60V ， ID=5A
RDS （开） <38m Ω @VGS=10V
提供 3 针 SOT23-3 封装
应用
电池保护
负荷开关
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征
VDS=60V ， ID=5A
RDS （开） <38m Ω @VGS=10V
提供 3 针 SOT23-3 封装
应用
电池保护
负荷开关
自动照明
代理商：深圳市夸克微科技 郑先生 ：13528458039 QQ 2867714804
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性（TA=25°C，除非另有说明。）
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