PW3407 采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的 MOS 管装置。 PW3407 是一颗 P 沟道的低内阻场效应 MOS 管。

PW3407 具有比 PW2301A 更高的 ID 电流值，和更高的 VDS 耐压

PW3407 基本参数：VDS = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=-10V

PW3407 采用 SOT23-3L 环保材质的封装形式。

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深圳市夸克微科技

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