PW2307芯片P沟道增强型MOSFET
- 2020-12-18 10:52:00
- 技术管理员 原创
- 2081
一般说明
PW2307采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极电荷和栅电压低至4.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中
特征
VDS=-20V ID=-7A
RDS（开）<20mΩ@VGS=-4.5V
提供3针SOT23-3封装
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
品牌代理商：深圳市夸克微科技
郑生： 13528458039
QQ ： 2867714804
发表评论
