8205A6采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 8205A6是一颗双 N沟道的低内阻场效应 MOS管。双 MOS的 D极内部是连接在一起的。 8205A6采用 SOT23-6封装。

8205A6常常于 DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。

8205A6的基本参数： VDS = 20V,ID = 6A ， RDS(ON) < 24 mΩ @VGS=4.5V ， RDS(ON) < 30 mΩ @ VGS=2.5V

8205A8采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 8205A8是一颗双 N沟道的低内阻场效应 MOS管。双 MOS的 D极内部是连接在一起的。 8205A5采用 SOT23-6封装。

8205A8常常于 DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。

8205A8的基本参数： VDS = 20V,ID = 6A ， RDS(ON) < 27 mΩ @VGS=4.5V
RDS(ON) < 37 mΩ @ VGS=2.5V