代理PW2309芯片,P沟道增强型MOSFET

一般说明

PW2309采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征

VDS=-60V,ID=-3A

RDS(开)<180mΩ@VGS=-10V

提供3针SOT23-3封装

应用

电池保护

负荷开关

不间断电源
代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804

绝对最大额定值( TA=25 ℃,除非另有说明)


电气特性