代理PW2337芯片,P沟道增强型MOSFET

2021-01-14 11:51:00
夸克微
原创
1772

一般说明

PW2337采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征

VDS=-100V,ID=-0.9A

RDS(开)<650mΩ@VGS=-10V

提供3针SOT23-3封装
代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804

应用

电池保护

负荷开关

不间断电源

绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)

电气特性

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