PW2301A采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW2301A是一颗P沟道的MOS管

A1SHB是PW2301A芯片，低导通内阻： RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=4.5V

PW2301A的 VDS = -20V, ID = -3A

PW2301A 采用SPT23-3L的环保材质封装。

一般说明

PW2301A采用先进的沟槽，它利用最新的加工技术来达到电池密度高，重复雪崩率高，降低导通电阻。这些特征使这一设计成为一个非常有效和可靠的装置，用于电源开关应用程序和各种各样的其他应用程序。 

特征

VDS=-20V，ID=-3A

RDS（开）<110mΩ@VGS=4.5V

提供3针SOT23-3封装
品牌代理商：深圳市夸克微科技
郑生： 13528458039
QQ ： 2867714804

绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）