一般说明
PW3428采用先进的沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征
VDS:30V
编号：28A
RDS（开）：典型15mΩ@VGS=10V
提供8针DFN3*3封装
代理商：深圳市夸克微科技 郑先生 ：13528458039 QQ 2867714804
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
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参数 |
符号 |
评级 |
单位 |
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漏源极电压 |
VDS |
30 |
V |
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栅源电压 |
VGS |
±20 |
V |
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持续漏电流， VGS@10V （注 1 ） |
ID@TC=25℃ |
28 |
A |
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持续漏电流， VGS@10V （注 1 ） |
ID@TC=100℃ |
12 |
A |
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脉冲漏电流（注 2 ） |
IDM |
50 |
A |
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总功耗（注 3 ） |
PD @TC=25℃ |
20.8 |
W |
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总功耗（注 3 ） |
PD @TA=25℃ |
2 |
W |
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储存温度范围 |
TSTG |
-55 至 150 |
℃ |
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工作结温范围 |
TJ |
-55 至 155 |
℃ |
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单脉冲雪崩能量（注 4 ） |
EAS |
8.1 |
mJ |
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雪崩电流 |
IAS |
12.7 |
A |
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热电阻接线盒（注 1 ） |
RθJC |
3.8 |
℃/W |
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热电阻结环境（注 1 ） |
RθJA |
62 |
℃/W |
注意
1、 数据通过表面安装在1英寸2 FR-4板上的2OZ铜进行测试。
2、 测试数据由脉冲，脉冲宽度。EAS数据显示最大额定值。
3、 其功耗受结温150℃的限制
4、 试验条件为V≤300us，占空比DD=25≤V，V 2%GS=10V，L=0.1mH，IAS=12.7A
5、 数据理论上与ID和IDM相同，在实际应用中，应受到总功耗的限制