代理PW2319芯片,P沟道增强型MOSFET

2021-03-04 10:30:00
夸克微
原创
374

一般说明

  PW2319采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征

VDS=-40V,ID=-5A

RDS(开)<70mΩ@VGS=-10V

提供3针SOT23-3封装

应用

电池保护

负荷开关

不间断电源
代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804

绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)


电气特性



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