代理PW2324芯片,N沟道增强型MOSFET

一般说明

PW2324采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和栅极电压低至4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

特征

l   VDS=100V,ID=3.7A

l   RDS(开)<240mΩ@VGS=10V

l   提供3针SOT23-3封装

应用     

l   电池保护

l   负荷开关

不间断电源

代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804

绝对最大额定值( TA=25 ℃,除非另有说明)


电气特性( TA=25 ° C ,除非另有说明。)