P沟道增强型MOSFET,PW2319

一般说明

PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征

VDS=-40V，ID=-5A

RDS（开）<70mΩ@VGS=-10V

提供3针SOT23-3封装

应用

电池保护

负荷开关

不间断电源
代理商：深圳市夸克微科技 郑先生 ：13528458039 QQ 2867714804


绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）

电气特性