PW2301A芯片P沟道增强型MOSFET
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一般说明
PW2301A 采用先进的沟槽，它利用最新的加工技术来达到电池密度高，重复雪崩率高，降低导通电阻。这些特征使这一设计成为一个非常有效和可靠的装置，用于电源开关应用程序和各种各样的其他应用程序。
特征
VDS=-20V ， ID=-3A
RDS （开） <110m Ω @VGS=4.5V
提供3 针 SOT23-3 封装
绝对最大额定值（TA=25℃ ，除非另有说明）
品牌代理商：深圳市夸克微科技
郑生： 13528458039
QQ ： 2867714804
