8205A8采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。8205A8是一颗双N 沟道的低内阻场效应MOS 管。双MOS 的D极内部是连接在一起的。8205A8采用TSSOP8封装。

8205A8常常于DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。

8205A8的基本参数：VDS = 20V,ID = 6A ， RDS(ON) < 27 mΩ @ VGS=4.5V
RDS(ON) < 37 mΩ @ VGS=2.5V

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