代理PW2324芯片，N沟道增强型MOSFET

一般说明

PW2324采用先进的沟道技术，提供优秀的 RDS（ ON）、低栅极充电和栅极电压低至 4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

特征

l   VDS=100V， ID=3.7A

l   RDS（开） <240mΩ @VGS=10V

l   提供 3针 SOT23-3封装

应用    

l   电池保护

l   负荷开关

不间断电源

代理商：深圳市夸克微科技 郑先生 ：13528458039 QQ 2867714804

绝对最大额定值（ TA=25 ℃，除非另有说明）

电气特性（ TA=25 ° C ，除非另有说明。）