供应PW3467,MOS管原装现货,技术支援

面议

库存 900000
品牌 平芯微 PW3467


一般说明

PW3467 采用先进的沟道技术,提供优良的 RDS ON ),低栅极充电和低至 4.5V 的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
特征


  •    VDS=30V ID=67A
  •   RDS(开)<5.5mΩ@VGS=10V
  •   提供8针DFN3*3封装
    代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804

    绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明)

    参数

    符号

    评级

    单位

    漏源极电压

    VDS

    30

    V

    栅源电压

    VGS

    ±20

    V

    持续漏电流, VGS@10V (注 1

    ID@TC=25℃

    70

    A

    持续漏电流, VGS@10V (注 1

    ID@TC=100℃

    51

    A

    持续漏电流, VGS@10V (注 1

    ID@TA=25℃

    15

    A

    持续漏电流, VGS@10V (注 1

    ID@TA=70

    12

    A

    脉冲漏电流(注 2

    IDM

    160

    A

    总功耗(注 3

    PD @TC=25℃

    59

    W

    总功耗(注 3

    PD @TA=25℃

    2

    W

    储存温度范围

    TSTG

    -55 150

    工作结温范围

    TJ

    -55 155

    单脉冲雪崩能量(注 4

    EAS

    115.2

    mJ

    雪崩电流

    IAS

    48

    A

    热电阻接线盒(注 1

    RθJC

    2.1

    /W

    热电阻结环境(注 1

    RθJA

    62

    /W


    注意
    1、 数据通过表面安装在1英寸2 FR-4板上的2OZ铜进行测试。
    2、 测试数据由脉冲,脉冲宽度。EAS数据显示最大额定值。
    3、 其功耗受175℃结温的限制
    4、 试验条件为V≤300us,占空比DD=25≤V,V 2%GS=10V,L=0.1mH,IAS=53.8A
    5、 数据理论上与ID和IDM相同,在实际应用中,应受到总功耗的限制