8205A6采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 8205A6是一颗双 N沟道的低内阻场效应 MOS管。双 MOS的 D极内部是连接在一起的。 8205A6采用 SOT23-6封装。
8205A6常常于 DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。
8205A6的基本参数: VDS = 20V,ID = 6A , RDS(ON) < 24 mΩ @VGS=4.5V , RDS(ON) < 30 mΩ @ VGS=2.5V
库存 | 989000 PCS |
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品牌 | 无锡平芯微 8205A6 |
8205A6采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 8205A6是一颗双 N沟道的低内阻场效应 MOS管。双 MOS的 D极内部是连接在一起的。 8205A6采用 SOT23-6封装。
8205A6常常于 DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。
8205A6的基本参数: VDS = 20V,ID = 6A , RDS(ON) < 24 mΩ @VGS=4.5V , RDS(ON) < 30 mΩ @ VGS=2.5V