PW2305采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW2305是一颗 P沟道的低内阻场效应 MOS管。

PW2305具有比 PW2302A更高的 ID电流值，内阻比 PW2302A偏低。

PW2305 基本参数： VDS = -20V， ID =-4.9A， RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V