代理PW3400A低内阻30V6A的MOS管
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PW3400A采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW3400A是一颗 N沟道的低内阻场效应 MOS管。
PW3400A具有比 PW2302A更高的 ID电流值,和更高的 VDS耐压
PW3400A基本参数:VDS = 30V, ID =5.8A, RDS(ON)< 28mΩ @ VGS=10V
PW3400A 采用 SOT23-3L环保材质的封装形式。
PW3400A采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW3400A是一颗 N沟道的低内阻场效应 MOS管。
PW3400A具有比 PW2302A更高的 ID电流值,和更高的 VDS耐压
PW3400A基本参数:VDS = 30V, ID =5.8A, RDS(ON)< 28mΩ @ VGS=10V
PW3400A 采用 SOT23-3L环保材质的封装形式。
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