PW3407采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW3407是一颗 P沟道的低内阻场效应 MOS管。

PW3407具有比 PW2301A更高的 ID电流值，和更高的 VDS耐压

PW3407基本参数：VDS = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=-10V

PW3407 采用 SOT23-3L环保材质的封装形式。