代理PW3400A低內阻30V6A的MOS管
詳情
PW3400A採用先進的溝槽技術,高密度,低導通電阻,是一箇非常有效和可靠的 MOS管裝置。 PW3400A是一顆 N溝道的低內阻場效應 MOS管。
PW3400A具有比 PW2302A更高的 ID電流值,和更高的 VDS耐壓
PW3400A基本蔘數:VDS = 30V, ID =5.8A, RDS(ON)< 28mΩ @ VGS=10V
PW3400A 採用 SOT23-3L環保材質的封裝形式。
PW3400A採用先進的溝槽技術,高密度,低導通電阻,是一箇非常有效和可靠的 MOS管裝置。 PW3400A是一顆 N溝道的低內阻場效應 MOS管。
PW3400A具有比 PW2302A更高的 ID電流值,和更高的 VDS耐壓
PW3400A基本蔘數:VDS = 30V, ID =5.8A, RDS(ON)< 28mΩ @ VGS=10V
PW3400A 採用 SOT23-3L環保材質的封裝形式。
移動訪問
|