PW2307芯片P沟道增强型MOSFET

一般说明

PW2307采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极电荷和栅电压低至4.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中

 

特征

VDS=-20V ID=-7A

RDS(开)<20mΩ@VGS=-4.5V

提供3针SOT23-3封装

 

绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)

品牌代理商:深圳市夸克微科技
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