PW2301A芯片P沟道增强型MOSFET

一般说明

PW2301A采用先进的沟槽,它利用最新的加工技术来达到电池密度高,重复雪崩率高,降低导通电阻。这些特征使这一设计成为一个非常有效和可靠的装置,用于电源开关应用程序和各种各样的其他应用程序。

 

特征

VDS=-20V,ID=-3A

RDS(开)<110mΩ@VGS=4.5V

提供3针SOT23-3封装

 

 


绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)


品牌代理商:深圳市夸克微科技
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