代理PW2324芯片，N沟道增强型MOSFET
- 2021-01-14 13:04:00
- 夸克微 原创
- 1774
一般说明
PW2324采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和栅极电压低至4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
特征
l VDS=100V，ID=3.7A
l RDS（开）<240mΩ@VGS=10V
l 提供3针SOT23-3封装
应用
l 电池保护
l 负荷开关
不间断电源代理商：深圳市夸克微科技 郑先生 ：13528458039 QQ 2867714804
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性（TA=25°C，除非另有说明。）
