供应信息

3142   2020-12-01

N沟道增强型MOSFET,PW2308

一般说明PW2308采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。特征VDS=60V,ID=5ARDS(开)<38mΩ@VGS=10V...
3090   2020-12-01

P沟道增强型MOSFET,PW2337

一般说明PW2337采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-100V,ID=-0.9ARDS(开)<...
3070   2020-12-01

P沟道增强型MOSFET,PW2309

一般说明PW2309采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-60V,ID=-3ARDS(开)<180mΩ@VGS=-10...
3040   2020-12-01

P沟道增强型MOSFET,PW2319

一般说明 PW2319采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。特征 VDS=-40V,ID=-5ARDS(开)<70mΩ@V...
产品概述PW4065 是一款完整的单节锂电池充电器,带电池正负极反接保护、 输入电源正负极反接保护的芯片,兼容大小 3mA-600mA 充电电流。 PW4065 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。由于采用了内部 PMOSFET 架...