供应信息
3142
2020-12-01
N沟道增强型MOSFET,PW2308
一般说明PW2308采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。特征VDS=60V,ID=5ARDS(开)<38mΩ@VGS=10V...
3090
2020-12-01
P沟道增强型MOSFET,PW2337
一般说明PW2337采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-100V,ID=-0.9ARDS(开)<...
3070
2020-12-01
P沟道增强型MOSFET,PW2309
一般说明PW2309采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-60V,ID=-3ARDS(开)<180mΩ@VGS=-10...
3040
2020-12-01
P沟道增强型MOSFET,PW2319
一般说明 PW2319采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。特征 VDS=-40V,ID=-5ARDS(开)<70mΩ@V...
3276
2020-12-01
带输入反接保护, 3mA-600mA 单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器PW4065
产品概述PW4065 是一款完整的单节锂电池充电器,带电池正负极反接保护、 输入电源正负极反接保护的芯片,兼容大小 3mA-600mA 充电电流。 PW4065 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。由于采用了内部 PMOSFET 架...




